LEEM-10A Experimental Apparat of PN Junction Characteristics Ausgewähltes Bild

LEEM-10A Versuchsgerät für PN-Übergangseigenschaften

Kurze Beschreibung:

Einführung

Die physikalischen Eigenschaften des Halbleiter-PN-Übergangs gehören zu den wichtigen Grundinhalten der Physik und Elektronik.Dieses Gerät verwendet die Methode des physikalischen Experiments, um die Beziehung zwischen dem Diffusionsstrom des PN-Übergangs und der Spannung zu messen, beweist, dass diese Beziehung dem Exponentialverteilungsgesetz folgt, und misst die Boltzmann-Konstante (eine der wichtigsten Konstanten in der Physik) genauer, was dies ermöglicht lernen die Schüler eine neue Methode zur Schwachstrommessung kennen.Diese Vorrichtung stellt einen Heizungs-Wechseltemperaturthermostat bereit, um die Beziehung zwischen der PN-Übergangsspannung und der thermodynamischen Temperatur T zu messen, um die Empfindlichkeit des Sensors zu erhalten, und näherungsweise die Energielücke des Siliziummaterials bei 0 K zu erhalten.Dieses Gerät ist stabil und zuverlässig und verfügt über reichlich physikalische Experimentinhalte, ein klares Konzept, ein vernünftiges strukturelles Design und hochgenaue Messergebnisse.Dieses Gerät wird hauptsächlich in allgemeinen physikalischen Experimenten und Entwurfsforschungsexperimenten an Hochschulen und Universitäten verwendet.

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Produktdetail

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Experimente

1. Die Beziehung zwischen dem Diffusionsstrom des PN-Übergangs und der Übergangsspannung wird gemessen, und es muss nachgewiesen werden, dass diese Beziehung dem Exponentialverteilungsgesetz durch Datenverarbeitung folgt;

2. Die Boltzmann-Konstante wird genauer gemessen (der Fehler muss weniger als 2 % betragen);

3. Lernen Sie, einen Operationsverstärker zu verwenden, um einen Strom-Spannungs-Wandler zu bilden, um den schwachen Strom von 10 zu messen^-6A bis 10^-8A;

4. Die Beziehung zwischen der PN-Übergangsspannung und der Temperatur wird gemessen und die Empfindlichkeit der Übergangsspannung mit der Temperatur wird berechnet;

5. Ungefähre Berechnung der Energielücke des Halbleitermaterials (Silizium) bei 0K.

Technische Indizes

1. Gleichstromversorgung

Ein einstellbares 0-1,5-V-DC-Netzteil;

Ein einstellbares 1mA-3mA DC-Netzteil.

2. LCD-Messmodul

LCD-Auflösungsverhältnis: 128×64 Pixel

Zwei digitale Spannungsanzeigen Bereich: 0-4095 mV, Auflösungsverhältnis: 1 mV

Bereich: 0-40,95 V, Auflösungsverhältnis: 0,01 V

3. Experimentelles Gerät

Es besteht aus Operationsverstärker LF356, Anschlussbuchse, Mehrgangpotentiometer usw. TIP31 und Triode Typ 9013 sind extern angeschlossen.

4. Heizung