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LEEM-10A Experimentelle Vorrichtung zur Untersuchung der Eigenschaften von PN-Übergängen (Abbildung)
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LEEM-10A Experimentelle Vorrichtung zur Untersuchung der PN-Übergangscharakteristik

Kurzbeschreibung:

Einführung

Die physikalischen Eigenschaften von PN-Übergängen in Halbleitern gehören zu den Grundlagen der Physik und Elektronik. Dieses Gerät nutzt die Methode des physikalischen Experiments, um den Zusammenhang zwischen Diffusionsstrom und Spannung im PN-Übergang zu messen. Es beweist, dass dieser Zusammenhang dem Exponentialgesetz folgt und ermöglicht eine präzisere Bestimmung der Boltzmann-Konstante (einer wichtigen physikalischen Konstanten). Dadurch erlernen Studierende eine neue Methode zur Messung schwacher Ströme. Das Gerät verfügt über einen Heiz-/Thermostat mit Wechseltemperaturregelung, um den Zusammenhang zwischen PN-Übergangsspannung und thermodynamischer Temperatur T zu messen. So lässt sich die Empfindlichkeit des Sensors ermitteln und die Bandlücke von Silizium bei 0 K näherungsweise bestimmen. Das Gerät ist stabil und zuverlässig und bietet vielfältige Möglichkeiten für physikalische Experimente. Es zeichnet sich durch ein klares Konzept, eine durchdachte Konstruktion und hochpräzise Messergebnisse aus. Das Gerät wird hauptsächlich in allgemeinen physikalischen Experimenten und Forschungsprojekten an Hochschulen und Universitäten eingesetzt.


Produktdetails

Produkt-Tags

Experimente

1. Es wird der Zusammenhang zwischen dem Diffusionsstrom des PN-Übergangs und der Übergangsspannung gemessen, und es wird durch Datenverarbeitung gezeigt, dass dieser Zusammenhang dem Exponentialverteilungsgesetz folgt.

2. Die Boltzmann-Konstante wird genauer gemessen (der Fehler soll weniger als 2 % betragen);

3. Lernen Sie, einen Operationsverstärker zu verwenden, um einen Strom-Spannungs-Wandler zu bilden, mit dem der schwache Strom von 10 V gemessen werden kann.-6A bis 10-8A;

4. Es wird der Zusammenhang zwischen der PN-Übergangsspannung und der Temperatur gemessen und die Temperaturabhängigkeit der Übergangsspannung berechnet.

5. Näherungsweise Berechnung der Bandlücke des Halbleitermaterials (Silizium) bei 0 K.

Technische Indizes

1. Gleichstromversorgung

Ein einstellbares 0-1,5V Gleichstromnetzteil;

Ein einstellbares Gleichstromnetzteil mit 1 mA-3 mA.

2. LCD-Messmodul

LCD-Auflösungsverhältnis: 128×64 Pixel

Zwei digitale Spannungsanzeigen: Messbereich: 0-4095 mV, Auflösung: 1 mV

Messbereich: 0–40,95 V, Auflösungsverhältnis: 0,01 V

3. Experimentelle Vorrichtung

Es besteht aus dem Operationsverstärker LF356, einer Anschlussbuchse, einem Mehrgangpotentiometer usw. TIP31 und eine Triode vom Typ 9013 sind extern angeschlossen.

4. Heizung

Trockenbrunnen-Kupfer-Heizgerät mit Verstellmechanismus;

Temperaturregelbereich des Thermostats: Raumtemperatur bis 80,0℃;

Auflösungsverhältnis der Temperaturregelung 0,1℃.

5. Temperaturmessgeräte

digitaler Temperatursensor DS18B20

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